晶园工艺
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三星推出第六代V-NAND
?2019-8-8
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三星周二推出了第六代V-NAND内存,为了进一步提高容量和密度,它拥有100多个层堆叠。从性能的角度来看,要使V-NAND具有超过100层的可行性,该公司不得不使用新的电路设计技术。与三星的上一代V-NAND相比,新内存的延迟降低了10%,功耗降低了15%。

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新的V-NAND突破了目前3D NAND堆叠的限制,实现了卓越的速度和能效,还计划从2020年开始在韩国平泽工厂扩大第六代V-NAND生产,以更好地满足全球客户的需求。

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三星第六代V-NAND是继其推出90层以上V-NAND后仅13个月所推出的新一代V-NAND,同时三星还将批量生产周期缩短了4个月,以确保其在业界领先的性能、能效和生产效率。

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三星基于其第六代V-NAND技术将提供高速、大容量的SSD和eUFS解决方案,目前已开始批量生产250GB SATA SSD,采用的是第六代(1xx层)256Gb TLC V-NAND。三星还计划在2019下半年推出基于512Gb TLC V-NAND的SSD和eUFS,用于满足全球移动和PC制造商的需求。

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三星是利用独特的“通道孔蚀刻”技术,新的V-NAND在之前的9x层堆叠结构上增加了大约40%。这是通过建立一个由136层组成的导电模具堆,然后从上到下垂直穿透圆柱形孔,创建统一的三维电荷阱闪光(CTF)单元来实现的。

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随着每个单元区域的模具堆叠高度的增加,NAND Flash芯片往往更容易出错和读取延迟。为了克服这些限制,三星公司采用了一种优化的电路设计,使其能够实现最快的数据传输速度,写入操作的速度低于450微秒(μs),读取速度低于45微秒。与上一代相比,这意味着性能提高了10%以上,而功耗降低了15%以上。

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由于这种优化设计,三星将能够研发出超过300层的下一代V-NAND解决方案,只需采用三个当前的堆栈,同时不会影响芯片性能或可靠性。三星的100+层与美光128层(64层+64层)3D NAND结构不同。

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另外,三星256Gb容量的NAND Flash所需的通道孔数量已从上一代的9.3亿个孔减少到6.7亿个孔,从而减小芯片尺寸和减少工艺步骤,这使得生产效率提高了20%以上。

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三星还计划将其新的3D V-NAND应用到新一代移动设备和企业服务器等领域,还将扩展到对高可靠性要求较高的汽车市场。

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三星电子(Samsung Electronics)产品解决方案与开发执行副总裁Kye Hyun Kyung表示:“通过将尖端的3D NAND技术引入批量生产,能够及时推新的闪存产品系列,并显着提高产品的速度和降低功耗。随着下一代V-NAND产品开发周期的缩短,将帮助快速扩展基于512GB V-NAND的高速大容量解决方案的市场。”

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(来源:EETOP)

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